半導體恒溫恒濕環(huán)境測試試驗設備廠家

產品技術參數：

1、工作室尺寸：1000*1000*1000MM；

2、外形尺寸約：1250*1750*1910MM；

3、溫度范圍： -60℃ ～  150℃；

4、溫度波動度：≤±0.5℃；

5、溫度均勻度：≤±1℃；

6、溫度偏差：≤±2℃；

7、升降溫速率：

從 20～-40℃，約60min

從 20―100℃，約40min

8、濕度范圍：20%―98%R.H（AT 25℃～ 85℃）

9、濕度誤差： 2/-3%R.H（75%R.H以上），±5% R.H（75%R.H以下）

10、風速：1.7～ 2.5m/s；

以上指標均在環(huán)境溫度≤25℃，常壓，空載、無負荷條件下、距箱體內壁1/6空間內測試測得；

11、功率：約3.5Kw；  

12、電源：220V±10%V；50Hz；

滿足相關標準及試驗方法：

GB/T2423.22-87Nb      GJB1032-90          MIL-STD-2164/(E/C)   

GB/T2423.4-93         GB/T2423.34-86         GJB150.9-86  

半導體恒溫恒濕環(huán)境測試試驗設備廠家

一、概述

本系列產品具有模擬大氣環(huán)境中溫度、濕度條件。主要是針對于電工、電子產品，以及其元器件，以及其它材料在高溫、濕度、低溫綜合環(huán)境下貯存、運輸、使用時的適應性試驗。用于產品設計、改進、鑒定及檢驗等環(huán)節(jié)。

二、依據標準

《電工電子產品環(huán)境試驗設備基本參數檢定方法 溫度 濕度組合循環(huán)試驗設備》GB 5170.18-2005

《溫度濕度組合循環(huán)試驗》GBT2423[1].34-2005

《濕熱試驗箱技術條件》GBT 10586-2006

《高溫試驗箱技術條件》GB 11158-2008

《低溫試驗箱技術條件》GB 10589-2006

《高低溫試驗箱技術條件》GB 10592-2008

《電工電子產品環(huán)境試驗 第2部分:試驗方法 試驗A:低溫》GBT 2423.1-2008

《電工電子產品環(huán)境試驗 第2部分:試驗方法 試驗B：高溫》GBT 2423.2-2008